Batri-Silisyòm-elektwòd negatif kabòn

Batri-Silisyòm-elektwòd negatif kabòn

Nan dènye ane yo, aplikasyon batri-klas Silisyòm-elektwòd negatif kabòn nan domèn pil pouvwa yo te de pli zan pli ranfòse, ak pwodiksyon anyèl la te depase nivo mil-tòn, epi li espere piti piti deplase nan direksyon dis -mil- echèl la.
Voye rechèch

Non pwodwi: TF Battery-Klas Silisyòm-Materyèl elektwòd negatif kabòn

-- Yon platfòm anod presizyon ki bay solisyon Enjenieri pou pil pouvwa pwochen jenerasyon


1. Jeni-Pozisyon oryante: Yon pon previzib soti nan syans materyèl ak pèfòmans batri

TF se pa yon silisyòm tradisyonèl-materyèl konpoze kabòn; li se yonEnjenieri platfòm anoddevlope baze sou yon modèl jimo dijital "Pèfòmans-Estrikti-Pwosesis". Atravè konsepsyon estriktirèl milti-echèl, nou kontwole konpòtman ekspansyon Silisyòm nan nan nano echèl la, konstwi gwo -chanèl iyon vitès nan mikwo echèl la, epi reyalize previzibilite pèfòmans nivo elektwòd-nan makro echèl la. Sa a bay manifaktirè batri ak pwodiksyon pèfòmans detèminist soti nan materyèl nan selil.


2. Pèfòmans Paramèt Sistèm ki baze sou kondisyon sistèm batri

Dimansyon pèfòmans Seri TF P (Oryante-pouvwa) Seri TF E (Oryante-Enerji) TF C Seri (Oryante Sik-) Filozofi konsepsyon
Pèfòmans elektwochimik Kapasite revèsib: 1,650-1,850 mAh / g
ICE: 92-94%
0.5C/5C Pousantaj Retansyon: Pi gwo pase oswa egal a 95%
Kapasite revèsib: 2,000-2,200 mAh / g
ICE: 93-95%
Tap Dansite: 1.45-1.55 g / cm³
Kapasite revèsib: 1,500-1,700 mAh / g
ICE: Pi gran pase oswa egal a 96%
2,000 Retansyon Kapasite Sik: Pi gran pase oswa egal a 85%
Optimize pou sistèm lan, pa pouswiv yon sèl valè ekstrèm.
Pèfòmans mekanik Ekspansyon Litiyasyon konplè:<75%
Elastic Recovery Rate: >90%
Elektwòd Peel fòs: Pi gran pase oswa egal a 25 N/m
Ekspansyon Litiyasyon konplè:<85%
Elektwòd kalandriye Springback:<5%
Ekspansyon Litiyasyon konplè:<65%
Post-Cycling Electrode Porosity Retention: >85%
Sinèrjetik ak konsepsyon mekanik selilè.
Pèfòmans tèmik DSC Exothermic Peak: >250 degre
Kondiktivite tèmik: 12-15 W/(m·K)
DSC Exothermic Peak: >230 degre
Pousantaj jenerasyon chalè:<60% of traditional materials
DSC Exothermic Peak: >260 degre
Ekspansyon Depo Tanperati segondè{{0}:<3%
Bati-nan pwopriyete jesyon tèmik.
Pwosesis konpatibilite Valè Sede Lisier: 30-50 Pa
Seche kontraksyon:<2%
Lajè fenèt kalandriye: ± 15%
Estabilite Viskozite sispansyon:<5% change over 7 days
Coating Edge Effect Improvement: >40%
Kondisyon pou ajan kondiktif: Redwi a 70% nan nivo tradisyonèl yo
Fenèt Itilizasyon Binder: ± 20%
Konpatib ak liy pwodiksyon ki deja egziste.

Karakteristik pèfòmans Jeni:

Elektwòd-Koefisyan Kowòdinasyon Ekspansyon Nivo: α=0.15 (Traditional materials α>0.35), asire fèy elektwòd rete plat pandan monte bisiklèt.

Endèks kwasans enpedans entèfas: <0.002 per cycle, enabling linear, predictable performance fade.

Paramèt konpatibilite chaj rapid-:Sipòte chaj kontinyèl 4C ak ogmantasyon tanperati<8°C and zero lithium plating risk.


3. Modilè Customizable platfòm

1. Konsepsyon modilè estriktirèl

Nwayo-Personalizasyon Dimansyon Koki:Gwosè nwayo Silisyòm (20nm / 50nm / 100nm), epesè koki kabòn (5-30nm), porosite kouch koki (10-40%).

Pèsonalizasyon rezo kondiktif:Ofri twa achitekti kondiktif: Twa-Dimansyon ki konekte (3D-C), Kouch-Entèkonekte (Kouch-C), ak gradyan distribiye (Gradyan{-C).

Pèsonalizasyon Jeni entèfas:Pre-fòmasyon kouch SEI fonksyonèl (ki gen F, B, P eleman), reyalize 30-50% rediksyon nan enpedans entèfas.

2. Pèfòmans Spectrum Pèsonalizasyon

Enèji-Personalizasyon kat pouvwa:Kliyan yo ka presize pwen sib yo nan espas twa -dimansyon "Kapasite Espesifik - Kapasite To - Sik Lavi"; nou bay pi bon konpozisyon materyèl.

Tanperati Adaptabilite Pèsonalizasyon: Developed specialized variants for low-temperature (-40°C, capacity retention >75%) ak gwo -tanperati (+60 degre, lavi sik amelyore 2x) aplikasyon yo.

Pèsonalizasyon Amelyorasyon Sekirite:Entegrasyon tèmik-faz reyaksyon-materyèl chanjman ki aktivman diminye konduktiviti iyonik pandan surchof pou bloke pwopagasyon tèmik ki egare.

3. Faktori Synergy personnalisation

Pake Adaptasyon Pwosesis Siye:Optimize estrikti pò materyèl yo anpeche fann ki baze sou zòn tanperati siye fou kliyan an ak karakteristik koule lè.

Pake Optimizasyon Pwosesis Kalandriye:Bay modèl deformation patikil nan dansite konpaksyon diferan pou gide paramèt kalandriye yo.

Pake elektwolit sinèrji:Ofri rekòmandasyon fòmilasyon elektwolit, ki gen ladan aditif propriétaires (egzanp, Silicon Surface Stabilizer SSA-2).


4. Asirans Kalite & Sipò Endistriyalizasyon

1. Sistèm Kontwòl Pwosesis Estatistik (SPC).

Siveyans tan reyèl-nan 38 Atribi Kalite Kritik (CQAs).

Pakèt-a-pakèt koyefisyan varyasyon (CV) pou endikatè kle yo<2.5%.

Chak pakèt vini ak yon "Paspò Kalite" konplè (ki gen ladan trasabilite matyè premyè, paramèt pwosesis, done pèfòmans).

2. Ogmante Garanti

Te konplete avèk siksè 7 echèl-up echèl soti nan gram nan echèl tòn, etabli yon echèl-modèl prediksyon efè.

Devyasyon pèfòmans ant pwodwi tòn{0}}echèl ak echantiyon laboratwa<5%.

3. Aplikasyon teknik sipò

Ko-laboratwa devlopman:Ofri kliyan 6 mwa nan itilizasyon liy pilòt gratis.

Sistèm dyagnostik defo: AI-based online diagnosis of electrode defects with >92% presizyon rekonesans.

Jesyon sik lavi:Bay siveyans pèfòmans ak sèvis prediksyon fennen pou materyèl ki nan pil kliyan an.


Konklizyon

Konpetisyon an nan batri-grad Silisyòm-anod kabòn te evolye soti nan yon "kous pèfòmans materyèl" nan yon "konkou kapasite jeni sistèm." Platfòm TF a reprezante yon nouvo paradigm pou kolaborasyon endistriyèl-nou libere devlopman materyèl nan laboratwa a, optimize konsepsyon li anba kontrent milti-dimansyon sistèm batri reyèl yo.

Nou delivre pa sèlman yon materyèl, men yon solisyon jeni konplè ki asire chak gram materyèl Silisyòm-kabòn reyalize valè teyorik li nan batri ou a.

Baj popilè: batri-klas Silisyòm-kabòn negatif elektwòd, Lachin batri-klas Silisyòm-kabòn negatif elektwòd manifaktirè, founisè, faktori