TF1010 Single-Walled Carbon Nanotube Powder

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, ak defo kabòn amorphe miray tib yo trè ba. Nwayo diferansye endikatè a: pite efikas nan tib kabòn sèl-mi se pi gran pase oswa egal a 98.5%, siyifikativman pi wo pase 80% pite TF1000 a. Sann metal se gradyan-kontwole nan nivo a san-ppm, enpurte rezidyèl katalis yo redwi anpil, fondamantalman evite flit aparèy semi-conducteurs, reyaksyon bò batri, ak deteksyon pwoblèm drift siyal.

Estrikti tubulaires san pwoblèm nan grafèn yon sèl kouch konbine kondiksyon elèktron balistik, ultra-wo elastisite, ak ultra-gwo sifas espesifik (500-1000 m² / g). Kantite lajan an adisyon percolation kapab osi ba ke 0.03% pou fòme yon rezo kondiktif plen domèn, apwopriye pou 7 nm ak pi ba pase tranzistò fim mens pwosesis avanse, sikui lojik fleksib, anod silikon-kabòn pite segondè, militè ak ayewospasyal lejè pwoteksyon, ultra-wo sansiblite tras biosensing, ak lòt senaryo segondè-presizyon.

Faktori a ekipe ak yon seri konplè ekipman tès dedye materyèl ki gen anpil pite ki gen ladan TEM rezolisyon wo, espektroskopi Raman, tèrmogravimetri TGA, ak ICP-OES. Chak pakèt yo bay yon seri konplè rapò tès espesyal sou kontni yon sèl miray, enpurte metal, dyamèt tib, ak longè. Se sèlman echantiyon gram-nivo segondè-pite ak pakèt pilòt kilo-nivo yo bay enstiti rechèch, antrepriz semi-conducteurs, ak dirijan manifaktirè batri eta solid. High-pite modifye poud ak gwoup amine ak carboxyl ka Customized pou adapte yo ak dispèsyon sòlvan dlo / òganik. Yon seri konplè RoHS, REACH, segondè-pite ICP enpurte rapò espesyal, ak fèy done sekirite MSDS yo konplè, satisfè estanda odit admisyon materyèl sevè pou militè ak semi-conducteurs enpòte ak ekspòtasyon.

Anbalaj: sache vakyòm papye aliminyòm, sache konpoze PE, sache tòn, personnalisable

Nan 2022, konpayi an envesti 50 milyon RMB pou etabli "Shandong Tanfeng New Materials Technology Co., Ltd." nan Heze, Shandong Pwovens, ak yon zòn bilding nan 4,000 mèt kare. Li se kounye a yon antrepriz nasyonal gwo teknoloji ak plis pase dis patant endepandan.

Yon dezyèm faz pwodiksyon ak sant R&D te planifye pou konstriksyon an 2027. Konpayi an te pase ISO9001 entènasyonal bon kalite sistèm certification e te fòme yon avanse nanomateryèl manifakti ak sant sèvis teknik ki kouvri tout pwosesis operasyon, R&D, pwodiksyon pilòt, ak manifakti. Kounye a, li posede liy pwodiksyon konplè pou poud nanotub kabòn, sispansyon nanotub kabòn, masterbatch nanotub kabòn, fib nanotub kabòn, ak fim nanotub kabòn.

Nou gen tès pwofesyonèl ak sètifikasyon. Pou nanotub kabòn vrèman nanokal, Tanfeng Teknoloji bay done karakterizasyon pou divès modèl, tankou imaj SEM, imaj AFM, imaj HRTEM, spèktroskopi Raman, ak modèl diffraction poud X-ray.

Pite sèl-miray Pi gran pase oswa egal a 98.5%, enpurte ki ba anpil ak kontni tib divès, adapte ak kondisyon rapò aparèy semi-conducteurs on/off.

Konpare ak pite sèl-miray TF1000 a nan sèlman 80%, TF1010 retire tib kabòn milti-ranpa ak patikil kabòn amorphe nan pirifikasyon milti-etap, ak enpurte faz divès kontablite pou mwens pase 1.5%. Lè yo itilize nan tranzistò efè jaden mens fim, rapò on/off aparèy la ogmante pa plis pase 10 fwa, ki pa gen okenn flit oswa distòsyon siyal ki te koze pa tib metalik divès, adapte ak rechèch ak devlopman nan 7 nm ak pi ba a sikui entegre avanse ki baze sou kabòn.

Twa klas nan sann metal ultra-ba disponib, konplètman rezoud pwoblèm nan echèk nan tras metal iyon migrasyon

Bay twa espesifikasyon sann:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μm ultra-long tib primitif, trè ba ranpli san yo pa bloke transmisyon limyè

Dis-mil-nivo ultra-segondè aspè rapò, kantite adisyon kondiktif osi ba ke 0.03%, dòz filler redwi pa yon lòt 30% konpare ak TF1000 pou efè a menm kondiktif. Dyamèt tib se byen lwen pi piti pase longèdonn limyè vizib, prepare fim kondiktif transparan ki pa gen okenn brouyar ak transmisyon segondè, adapte ak pwodiksyon an mas nan ekran pliyan ak elektwòd fotovoltaik transparan.

Ultra-high crystallinity G/D >50, ekstrèmman kèk tib miray domaj estriktirèl, estabilite sik electrochemical maksimize

Mi tib grafèn ki ba-defo diminye reyaksyon bò koòdone elektwolit. Lè yo itilize nan anod Silisyòm-kabòn ak batri solid-eta yo, yo ka anpil siprime kontinyèl SEI fim epesman, ak lavi sik selil amelyore pa plis pase 35% konpare ak TF1000 debaz sèl-ranpa, adapte yo ak alontèm-wo fen pil pouvwa machin pasaje yo.

Ka direksyon separe semiconducting sèl-miray tib kabòn, substra debaz pou ba-pouvwa bato fleksib

High-purite primitif sèl-miray matyè premyè fasilite separasyon santrifujasyon gradyan dansite ki vin apre, pwodwi yon gwo pwopòsyon nan nanotub kabòn semiconducting sèl-ranpa ak gwo mobilite konpayi asirans ak konsomasyon pouvwa aparèy ki ba anpil, fè yo matyè premyè debaz pou pwochen jenerasyon fleksib sikui lojik ki ba-pouvwa ak bato mikwo deteksyon.

Ultra-gwo sifas espesifik 500-1000 m² / g, ultra-wo sansiblite kaptire nan molekil tras

Gwo sit aktif elektwochimik, ak kapasite adsorption ak rekonesans pou gaz, pwoteyin byolojik, ak tras molekil metal lou ki depase TF1000, adapte yo ak biodetèktè dyagnostik medikal ak sond deteksyon presizyon nan tras nan anviwònman an.

Militè ak ayewospasyal konplètman konfòme sistèm segondè-pite, lejè kondiktif ak tèmik kondiktif entegre estriktirèl ranfòsman

Fòmasyon ki ba-enpurite, ki pa presipite satisfè estanda akseptasyon konpozan elektwonik ayewospasyal ak militè yo. Trè ba ranpli ka reyalize efè yo trip nan konduktiviti pèmanan, pwoteksyon elektwomayetik, ak ranfòsman estriktirèl, anpil diminye pwa pwòp tèt ou nan satelit ak konpozan avyon.

1. Pwosesis avanse Semiconductors ki baze sou Kabòn, tranzistò ak efè jaden mens fim

7 nm ak anba pwosesis sikui entegre, chips lojik fleksib, mikwo sikui deteksyon ki ba-pouvwa; ultra-wo sèl-miray pite asire segondè tranzistò sou / koupe rapò ak flit ki ba, ranplase materyèl tradisyonèl ki baze sou Silisyòm pou pòs-Moore epòk mikwo-nano elektwonik R&D.

2. Militè/ayewospasyal ultra-wo pite lejè kondiktif pwoteksyon materyèl konpoze

Satelit ki lejè elektwomayetik pwoteksyon lojman, dissipation chalè avyon ak panno kondiktif entegre, elektwòd aparèy depo enèji militè; enpurte metal ki ba satisfè alontèm sou-òbit estanda operasyon ki estab nan konpozan militè yo.

3. High-End Silisyòm-Kabòn anod, Sulfide tout-Solid-eta pouvwa batri

Aditif kondiktif dedye a anod Silisyòm-kabòn pou elektwonik konsomatè-wo fen ak pil pouvwa machin pasaje alontèm; ultra-ba enpurte siprime selil pwòp tèt ou-egzeyat, ultra-long kabòn tib tanpon Silisyòm patikil ekspansyon volim, anpil pwolonje lavi sik.

4. High-Transmittance fleksib transparan fim conducteurs, pliable panneaux ekspozisyon OLED

Ranplase ra ITO Endyòm fèblan oksid, prepare fim kondiktif segondè-transmittans gratis, adapte ak ekran manyen pliable, elektwòd ECG medikal portable, ak pèseptè aktyèl transparan selil fotovoltaik, ak diminisyon rezistans anba a 3% apre mil viraj.

5. Detèktè tras byolojik ak anviwònman ultra-wo presizyon

Detèktè deteksyon pwoteyin medikal, tras atmosferik deteksyon gaz toksik, tras dlo sond siveyans metal lou; ultra-gwo zòn sifas espesifik pèmèt ppb-nivo molekil tras rekonesans, ak sansiblite deteksyon siperyè TF1000 debaz yon sèl-ranpa.

6. Inivèsite fwontyè ultra-wo pite nanomaterial rechèch pwojè

Echantiyon wo-pite dedye a segondè-presizyon laboratwa R & D tankou semi-conducteurs sèl-miray separasyon chiralite, avanse mekanis kabòn ki baze sou chip, batri eta solid mekanis long sik, ak ayewospasyal materyèl konpoze ki lejè.

Q1: Ki diferans ki genyen seleksyon debaz ant TF1010 ultra-wo pite sèl-miray ak TF1000 debaz yon sèl-miray, ak ki jan bato semi-conducteurs yo ta dwe chwazi?

A: TF1000 sèl-miray pite se sèlman pi gran pase oswa egal a 80%, apwopriye pou anod Silisyòm-kabòn, òdinè fim kondiktif fleksib, ak konvansyonèl laboratwa debaz R & D; TF1010 sèl-miray pite se pi gran pase oswa egal a 98.5%, ak sann metal osi ba ke nan 100 ppm, ak ekstrèmman kèk tib divès ak enpurte kabòn amorphe, espesyalman pou sikui entegre semi-conducteurs, militè ak ayewospasyal, ultra-wo presizyon biosensing, segondè-fen eta solid-sanarya pil ak zewo tolerans pou pil enpurte; pou aparèy estabilite segondè, ba flit, ak sik long, TF1010 dwe chwazi.

Q2: Ki senaryo twa espesifikasyon sann yo nan TF1010 respektivman adapte yo?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

Q3: TF1010 sèl-miray pite nan 98.5%, ki kantite amelyorasyon li pote nan tranzistò sou / koupe rapò?

A: Paske TF1000 gen gwo kantite tib divès kalite milti-ranpa, rapò tranzistò on/off se sèlman 10³–10⁴; TF1010 gen ekstrèmman kèk enpurte faz divès, epi apre separasyon, aparèy semi-conducteurs kabòn tib on/off rapò ka rive pi wo pase 10⁷, satisfè kondisyon pèfòmans nan chips pwosesis avanse.

Q4: Lè yo itilize TF1010 nan pil eta solid, konbyen lajan ka redui oto-dechaj selilè konpare ak TF1000?

A: TF1010 metal katalitik enpurte yo redwi anpil, solid-state selil chanm-tanperati depo 30-jou kapasite atenuasyon redwi pa 40%, ak lavi sik amelyore pa 35%, adapte yo ak pwodiksyon an mas pilòt nan pil eta solid alontèm pou constructeurs oto.

Q5: Èske TF1010 poud difisil pou dispèse, epi èske li ka adapte yo ak litografi semi-conducteurs sipòte sispansyon?

A: Amino-wo pite modifye TF1010 poud ka Customized, adapte yo ak litografi-dedye ba-enpurite òganik dispèsyon sòlvan, ki pa gen okenn tras metal presipitasyon kontamine wafers; konpayi nou an ka bay solisyon pwosesis dispèsyon ki ba-chea-wo pite.

Q6: Pou ekspòtasyon militè ak pwojè semi-conducteurs, èske TF1010 ka bay rapò espesyal tès enpurte metal-wo pite?

A: Yo bay chak pakèt yon fèy tès sann pou pite endepandan ICP-OES, jisteman make kontni rezidyèl divès kalite metal katalis. Yon seri konplè RoHS, REACH, ak MSDS dokiman konplè, satisfè odit twazyèm pati pou militè ak semi-conducteurs enpòte ak ekspòtasyon materyèl.

Q7: Ki transmisyon TF1010 ka reyalize nan prepare fim kondiktif transparan? Èske gen pwoblèm brouyar?

A: Transmisyon fim pi gran pase oswa egal a 90%, brouyar<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Baj popilè: tf1010 yon sèl-miray kabòn nanotub poud, Lachin tf1010 sèl-miray kabòn nanotub poud manifaktirè, Swèd, faktori